Monday, November 20, 2023 6:24 AM
三菱電機とネクスぺリア、SICパワー半導体を共同開発へ
三菱電機は、オランダの半導体大手ネクスペリア（Nexperia）と戦略提携し、パワーエレクトロニクス市場向けに炭化ケイ素（SiC）パワー半導体を共同開発する。
三菱電機のプレスリリースによると、同社は強みとする化合物半導体技術などを応用したSiC-MOSFETチップをネクスペリア向けに開発・供給し、ネスクぺリアは三菱電機のSiCチップを搭載したSiCディスクリート（単一の機能を持った半導体）製品を開発する。
電気自動車（EV）市場は世界的に拡大しており、SiCパワー半導体は従来のシリコンウエアを用いたパワー半導体に比べてエネルギー損失が少ないうえ、高温動作や高速スイッチング動作が可能となるため、飛躍的な成長が見込まれている。SiCパワー半導体の高効率は、世界の脱炭素化やグリーン・トランスフォーメーション（GX）の実現に大きく貢献すると期待されている。
https://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2023/1113.html?cid=rss
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