Tuesday, November 21, 2023 11:45 AM
三菱電機とネクスぺリア、SICパワー半導体を共同開発へ
三菱電機は、オランダ拠点の半導体大手ネクスペリア（Nexperia）と戦略提携し、パワー・エレクトロニクス市場向けに炭化ケイ素（SiC）パワー半導体を共同開発する。
三菱電機のプレス・リリースによると、同社は強みとする化合物半導体技術やそのほかの関連技術を応用した炭化ケイ素モスフェット（SiC-MOSFET）チップをネクスペリア向けに開発および供給し、ネスクぺリアは、三菱電機のSiCチップを搭載したSiCディスクリート（単一の機能を持った半導体）製品を開発する。
SiCパワー半導体は、従来のシリコンウエアを用いたパワー半導体にくらべてエネルギー損失が少ない。さらに、高温動作や高速スイッチング動作も可能にする。SiCパワー半導体はそのため、飛躍的な成長が見込まれている。
SiCパワー半導体の高効率は、世界の脱炭素化や緑化の実現に大きく貢献すると期待される。
https://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2023/1113.html?cid=rss
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